Firmaet Crossbar er ikke et man har hørt meget til, men de har netop offentliggjort, at de er klar med deres RRAM-chip (Resistive RAM), som bygger på memristor-teknologien.
RRAM er ikke-flygtig-hukommelse og fungerer som flashram, men sammenlignet med almindelige NAND-baseret flashram, så har RRAM en lang række fordele.
Skrivehastigheden er op til 20 gange hurtigere for en chip, med en hastighed på 140 MB/sek, læsehastigheden er dog noget lavere ved 17 MB/sek. Strømforbruget er blot på 5 % sammenlignet med NAND og holdbarheden er 10 gange bedre.
Oven i disse forbedringer oplyser Crossbar, at ved at anvende en simple trelags-struktur i chippen, fylder den meget mindre, hvorfor det vil være muligt at presse 1 TB lagerplads ned på en 200 mm2 chip. Teknologien tillader at flere lag stables oven på hinanden, hvorved en enkelt chip kan rumme flere terabytes.
Selv mener Crossbar, at de har løst de fleste af de udfordringer flashram har stået over for.
Crossbar skrev:
[..]non-volatile memory technologies are running out of steam, hitting significant barriers as they scale to smaller manufacturing processes. With our working Crossbar array, we have achieved all the major technical milestones that prove our RRAM technology is easy to manufacture and ready for commercialization. It’s a watershed moment for the non-volatile memory industry.
Der er ikke sat nogen tid på hvornår de første produkter baseret på teknologien vil se dagens lys, men Crossbar oplyser i sin pressemeddelelse, at chippen er nem at producere og at de har fået fabrikeret fungerende prototyper hos en kommerciel chipproducent.