Stort gennembrud i fremstillingen af grafen

Siden grafen blev opdaget af to forskere fra University of Manchester i 2004, har der været forsket intenst i brugen af materialet indenfor elektronikindustrien.

Grafen er 1 atom tykke lag af kulstof, som er utrolig stærkt og leder elektricitet hundrede gange bedre end silicium, der i dag er det mest brugte halvledermateriale til fremstilling computerchips. I den evige jagt på at fremstille mindre chips, er man dog ved at nå en fysisk grænse for, hvor små de kan laves, baseret på silicum.

Der er derfor store forhåbninger om, at grafen kan bryde denne fysiske grænse. Problemet har indtil videre blandt andet været, at det har været svært at få grafen til at opføre sig som en halvleder, og det har været problematisk at forbinde elektriske kontakter til at lede elektricitet ind og ud af grafenen.

Disse problemer har forskere fra Friedrich-Alexander Universität i Tyskland nu fundet en mulig løsning på. De har fundet ud af at fremstille grafen ved hjælp af siliciumkarbid, som er en type krystal fremstillet af silicum og kulstof.

Ved at bage plader af silicumkarbid har de drevet silicumatomerne ud af krystallets overflade, hvilket efterlader et lag af grafen. I samarbejde med forskere fra det svenske forskningsinstitut Acreo AB, har de brugt stråler af ladede atomer til at ætse kanaler ned i siliciumkarbidpladerne og på den måde påvirket hvordan grafenen forbinder til den underliggende silicumkarbid og derved bestemme om grafenen er ledende eller halvledende.

Den videnskabelige artikel er offentliggjort på Nature Communications.