Chipfirmaerne Intel, Toshiba og Samsung er gået sammen om et projekt, der skal fremstille NAND-chips til flash-memory med en proces tæt på 10 nanometer. Det er en halvering i forhold til den mest avancerede proces i dag.
Reuters citerer den japanske avis Nikkei for nyheden. Ifølge avisen ventes produkter fremstillet med den nye proces klar i 2016. De tre firmaer vil gerne samarbejde med andre chipfirmaer om projektet.
Resultatet kan blive flash-chips, der kan rumme flere data på den samme plads. Andre teknologier gør det også muligt at udnytte pladsen bedre, fx ved at lagre mere end en eller to bit pr. celle. Et samarbejde mellem Intel og Micron har udviklet en NAND-chip med tre bit pr. celle i en 25 nanometer-proces.
Japans økonomiministerium ventes at finansiere halvdelen af omkostningerne til projektet, der samlet har en forventet pris på 122 millioner dollars.
- Forside
- ⟨
- Forum
- ⟨
- Nyheder
Gå til bund