MRAM ses af mange som afløseren for både flash-ram og DRAM/SRAM, men til trods for der har været kommercielle produkter på markedet siden 2005, er hastigheden for langsom til, at det har slået igennem.
MRAM bruger magnetisk spin til at gemme data, hvilket ikke ændrer sig, hvis der ikke er strøm. Dette gør, at MRAM har samme egenskab som flash-ram, men kan potentielt være lige så hurtig som almindelig RAM, samtidig med at det kan klare et uendeligt antal skrivninger, modsat flash-ram.
Det problem, der holder hastigheden nede på MRAM, er et fænomen kaldet magnetic ringing, hvor en ændring af den magnetiske spin for en hukommelsescelle også påvirker sine naboceller. Indtil nu har det taget op til 2 ns at få styr på disse forstyrelser, hvilket begrænser hastigheden kraftigt.
Et tysk forskerhold hos Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) har nu fundet en metode, der er langt mere præcis, end dem man p.t. har brugt til at ændre den magnetiske spin med. Metoden, som de kalder ballistic bit triggering, gør det muligt at komme under 500 ps for at sætte det magnetiske spin. Dette gør, at MRAM nu kan arbejde ved over 2 GHz.
PTB har taget patent på teknologien og er i gang med at finde en partner inden for hukommelsesindustrien til at samarbejde med.