På blot få år er priserne styrdykket og kapaciteten eksploderet på flashram-chips, men behovet for endnu mere lagerkapacitet er ikke mættet endnu. En måde til at øge kapaciteten er at producere hukommelsescellerne ved stadig mindre produktionsprocesser, men det er også muligt at lave dem i flere lag.
Toshiba er i samarbejde med Sandisk i fuld gang med at udvikle såkaldte 3D-flashramchips, hvor 3D indikerer, at hukommelsescellerne er stablet i flere lag.
Toshiba har lavet en prototype med 16 lag i en 60 nm produktionsproces, der har en højere datatæthed end en traditionel flashchip lavet i 32 nm. Prototypen kan rumme 32 Gb data, men er endnu ikke klar til masseproduktion.
Et af problemerne ved at bygge i højden er forbindelserne mellem de enkelte lag, der skal gå via mikroskopiske huller i lagene. Det er p.t. en udfordring at få lavet hullerne korrekt, men Toshiba forventer at kunne løse problemet og have de første produkter på gaden om tre år.
- Forside
- ⟨
- Forum
- ⟨
- Nyheder
Gå til bund