mboost-dp1

unknown

Intel fremviser næste generation af transistorer

- Via New Scientist - Technology - , redigeret af Acro

Intel annoncerede fredag, at deres næste generation af transitorer vil benytte metal gate elektroder og ikke silicium som hidtil. Samtidigt vil Intel benytte et høj-K hafnium indeholdende materiale som dielektrika i stedet for det konventionelle siliciumdioxid. I følge Gordon Moore er implementationen af den nye dielektrika og metal gate elektroderne den største ændring i transistorteknologien siden indførslen af polysilicium gate transistorer sent i 1960’erne.

De nye materialer skulle ifølge Intel kunne øge skifte hastigheden på transistorne med 20 % og lække 5 gange mindre strøm som konventionelle transistorer. Intel starter produktionen i 2007, og de første produkter med den nye teknologi introduceres på markedet i 2008.

Kilden peger på New Scientists nyhed. BetaNews har bragt en mere fyldestgørende nyhed.





Gå til bund
Gravatar #1 - D_V
27. jan. 2007 15:42
Uhhh... lyder sgu spændende...
Masser af fordele.. mindre strømforbrug, de kan kører ved højere clock hastighed og selvfølgelig mindre varmeudvikling...

Kan ikke vente på at se specifikationerne på nogen af de nye procesorrer..
Gravatar #2 - sizanx
27. jan. 2007 16:51
Gravatar #3 - -N-
27. jan. 2007 16:57
Det lyder slet ikke som nogen tosset ide... Så kan vi vel se frem til et lavere strømforbrug :-D
Gravatar #4 - erchni
27. jan. 2007 21:29
Ja det er da sejt. Glæder mig allerede må give et plusligt stort boost i ydelse på cpuer. Det meget mindre strømforbrug er altid velkommen. Der skal jeg sikker også betale for min egen strøm istedet lige som nu hvor det er delt. Så kan jeg få noget ud af det.
Gravatar #5 - Sattie
28. jan. 2007 03:34
Hvorfor er det folk tror at lavere nm' lavet cpuer altid resultere i lavere strømforbrug?
Det har været gentaget i stort set alle diskussioner omkring nyere cpuer her.
Det er IKKE det lavere nm der gør dem mere strømsparende! Det er derimod de bedre udviklede isoleringsmetoder til transisterne.

læs evt:
http://www.anandtech.com/cpuchipsets/showdoc.aspx?...
Quote:
"The benefit of a very thin gate dielectric is that it increases the gate field effect, which increases drive current and reduces Source-drain leakage current. However, with such a thin gate dielectric electrons can tunnel directly through the layer and show up as leakage current - in other words, current would flow when it was not supposed to, translating into power wasted"

Vi er nede i så tynde lag/gates, at der skal meget lidt til før at elektronerne farer lige igennem dem. Som skrevet i artiklen er det pt ca 5 atomer der adskiller dem. Det burde være logik for alle at når elektronerne ikke kan styres, fåes alt andet end et godt resultat!

Cpu laverne er blevet bedre til at lave isoleringsmateriale nede i de små størrelser, hvilket er den eneste grund til at i kan glæde jer over mindre strømforbrug. Men tag ikke fejl, hvis de ikke var blevet bedre til at lave denne isolering, så hjælper en lavere nm struktur hat og nøgler - tværtimod!

Lavere nm struktere betyder alt andet lige at cpuerne kan blive mindre, og dermed at der kan laves flere cpuer pr wafer. Så selvom mange cpu' dies normalt går istykker pga fejlproduktion på de mindre nm strukturer, så plejer det at rette sig op jo bedre firmaerne bliver til at manurerer denne udførsel.

Billigere cpuer er det primære mål, ikke et lavere strømforbrug - det er "desværre" kun en sidegevinst.
Gravatar #6 - Man in Black
28. jan. 2007 10:35
#5
Jo lavere nm, jo mindre afstande skal strømmen føres. Jo mindre afstande strømmen skal føres, jo mindre effekttab. Jo mindre effekttab, jo mindre varme!

Det vigtige ved at lave strukturen mindre er ikke at strømmen bliver mindre, men at strømmen skal transporteres over mindre afstande... jo større afstande strømmen skal transporteres, jo større effekttab vil der være.

Så ja, vi er stort set enige.
Gravatar #7 - Sattie
28. jan. 2007 11:36
#5
Som mit citat præcist sagde, så jo mindre mikron, jo mindre beskyttelse, jo mere effekttab.
(Forudsat at samme beskyttelses teknologi benyttes)

Men retfærdiggjort skal det da siges at det er et fænomen man først begynder at mærke ved de helt små mikron størrelser. Desværrer er den vist så også expotentiel stigende den leak kurve, så det gælder om at finde et godt materiale til at holde på strømen! :)
Gravatar #8 - -N-
28. jan. 2007 11:47
#5 Der var vist slet ikke nogen der nævnte at en reduktion i die size ville føre til mindre strømforburg, mere at den omtale teknologi ville... Det er jo lidt det nyeheden handler om, at de nye transistore lækker meget mindre strøm. Der står absolut intet om størrelse, så ingen grund til angreb :-D
Gravatar #9 - Sattie
28. jan. 2007 11:50
#8

Jeg gider ikke finde link til den tidligere diskusion her på newz.dk, men der blev fremgik det da tydligere at folk troede at en lavere mikronstørrelse ville automatisk få strømforbruget ned, hvilket jo ikke er den rene sandhed! :)

Anyway
IBM og AMD har lavet samme mikronstørrelse:
http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=5885
Gravatar #10 - mrmorris
28. jan. 2007 11:51
Før nogen skriger "Jubiii, Intel sparker AMD røv..." så bemærk lige at IBM og AMD er i tæt samarbejde, dvs. vi vil formeentlig se denne teknologi implementeret nogenlunde samtidigt fra hhv. Intel og AMD.
Gravatar #11 - Sattie
28. jan. 2007 12:20
#10
AMD har selv skrevet at de ville være op til et år bagud med 65nm, men forventede at denne fordel fra intel ville være indskrænket til 6md ved 45nm, og endnu mindre med 32nm.

(Deres udtaelse kom før deres 65nm processor kom på markedet :p)
Gravatar #12 - -N-
28. jan. 2007 13:50
#9 Det er rigtigt at det tidligere har været diskuteret, det var som ikke mente på den måde, jeg læste bare din post som om den relaterede til konteksten i denne debat... anyway ok link
Gravatar #13 - mrmorris
29. jan. 2007 11:18
#11 Denne teknologi har dog intet med processtørrelsen at gøre men overgang til nye materialer, ligesom skete med SOI og Strained Silicon. Der er altså intet i vejen for at AMD skulle være klar med teknologien før f.eks. Intel, ligesom de var det med Strained Silicon tilbage i 2003.
Gravatar #14 - Sattie
29. jan. 2007 11:36
#13

Nu var det amd's egne ord, og dem betvivler jeg så ikke så meget, når de snakker om deres eget produkt :)
Gravatar #15 - HashKagen
29. jan. 2007 21:15
For at gøre op med Moore's lov er det vel også vigtigt at finde en erstatning for silicium snart.. i år 2020 skulle de ellers så små transistorer være på en sådan størrelse at silicium vil blive for ustabilt til at anvende.
Gravatar #16 - pote
29. jan. 2007 22:14
<offtopic sorry="true">
Det piver i mine ører og gør ondt i mine øjne hver gang jeg hører eller læser ordet "implementation" i en dansk sætning.
Det hedder ikke "implementationen", men "implementeringen". "tion"-udgaven er ikke dansk og det findes ikke i den danske ordbog.
</offtopic>
Gå til top

Opret dig som bruger i dag

Det er gratis, og du binder dig ikke til noget.

Når du er oprettet som bruger, får du adgang til en lang række af sidens andre muligheder, såsom at udforme siden efter eget ønske og deltage i diskussionerne.

Opret Bruger Login