HP opnår gennembrud i memristor-udvikling

Siden den såkaldte Memristors (memory resistor) offentliggørelse første gang i 1971 (opfundet af Leon O. Chua), er der blevet forsket i denne komponents brugbarhed til chip-fremstilling.

Memristoren er en komponent, der virker meget lig hjernens neuroner ved både at fungere som kontakt og hukommelse på én gang. Informationen er endog gemt, selv i et slukket kredsløb, og er mere simpel at fremstille end en halvleder-transistor.

Det er nu lykkedes HP at opfinde en ny metode til læsning og skrivning i et tre-dimensionelt kredsløb bestående af mange memristorer. Det vil teoretisk være muligt at lægge dem i lag på op til flere tusinde og derved muliggøre en tæthedsgrad, der rækker langt ud over de to-dimensionelle kredsløbs udviklingsgrænse.

HP annoncerede brugbare memristorer første gang tilbage i 2008 og er nu nået så langt, at Stan Williams, der er fysiker ved HP, mener, man i løbet af 3 år vil kunne have et produkt klar, der, selv på det tidspunkt, er bedre end konkurrenternes, med en teknologi som kan skalere langt ind i fremtiden.

De nuværende transistorer ligger i størrelsesordenen på 30-40 nm, og det vil tage mange år for at nå de 3 nm, som HP kan fremvise i dag med memristorer. Det betyder, at f.eks. flashram kan laves med en kapacitet på 20 GB/cm2 om ca. 3 år – en faktor 2 i forhold til nuværende teknologiers formåen til den tid.

HP’s teknik bygger på at flytte enkelte atomer (ca. 1 nm i størrelse) i en tynd film af titaniumdioxid. Placeringen af atomerne kan aflæses som en ændring af modstanden i materialet, en modstand der bevares, selvom strømmen fjernes.

HP har opnået skiftetider på helt ned til 1 ns, hvilket er markant hurtigere end Phase-Change Memory; en teknik IBM, Intel og flere andre forsker i, men som altså ifølge Stan Williams er både langsommere og mere strømkrævende.