Samsung og Hynix arbejder på HBM3

Første og anden generation af High Bandwidth Memory (HBM) har ikke fundet vej til mange produkter. Men hos Samsung og Hynix arbejdes der på tredje generation HBM, der har den klare fordel, at det er billigere at producere end de første to generationer.

Konventionel opbygning af hukommelse har RAM chips placeret ved siden ad hinanden så tæt på CPU og GPU som muligt. Ved HBM stables RAM chips i stedet og forbindes via ‘through-silicon vias’ (TSVs). Disse RAM-stakke placeres så på CPU eller GPU, som gør løsningen meget pladsbesparende og samtidigt med stort potentiale for boost af båndbredde.

Til gengæld har det indtil videre været dyrt at producere dette, og der har været grænser for kapaciteten. HBM1 er f.eks. brugt i AMDs Fury grafikkort med en grænse på 4 GB RAM-stakke. HBM2 er f.eks. brugt i Nvidias workstation P100 grafikkort med en grænse på 16 GB RAM-stakke. Men her er prisen så steget voldsomt.

HBM3 næsten fordobler tætheden i den enkelte RAM-stak fra 8 til cirka 16 GB og tillader flere end otte stakke på samme GPU eller CPU. Det skulle give mulighed for HBM3-grafikkort med 64 GB RAM, skriver Ars Technica.

HBM3 har lavere volt i kernen og dobbelt så højt peak på båndbredden ift. HBM2 – HBM2 klarer 256 GB/s pr. lag RAM, mens HBM3 klarer 512 GB/s.

Hynix kalder deres projekt HBM3, mens Samsung navngiver det ‘Extreme HBM’.

Der er endnu ingen dato for lancering af produkter med HBM3, men skal man følge AMDs roadmap for fremtidige GPU’er, vil 2018 være et godt bud.